上诉人普某公司与被上诉人国家知识产权局及一审第三人聚某公司发明专利权无效行政纠纷一案,涉及专利权人为普某公司、名称为“高功率allngan基多芯片发光二极管”的发明专利(以下简称本专利)。针对聚某公司就本专利权提出的无效宣告请求,国家知识产权局作出第563908号无效宣告请求审查决定(以下简称被诉决定),宣告本专利权全部无效;普某公司不服,向北京知识产权法院提起诉讼。北京知识产权法院于2024年8月27日作出(2024)京73行初****号行政判决,驳回普某公司的诉讼请求;普某公司不服,向本院提起上诉。本院于2024年10月17日立案后,依法组成合议庭,并于2025年2月25日公开开庭审理了本案。上诉人普某公司的委托诉讼代理人周**、何**,被上诉人国家知识产权局的委托诉讼代理人熊*、曹**,一审第三人聚某公司的委托诉讼代理人刘*、万*到庭参加诉讼。本案现已审理终结。
本案基本事实如下:本专利系名称为“高功率allngan基多芯片发光二极管”的发明专利,专利权人为普某公司,专利号为200480012949.8,专利申请日为2004年5月11日,授权公告日为2009年9月16日。作为本案审查基础的权利要求共有52项,其中权利要求1为:
“1.一种用于形成发光二极管芯片的方法,该方法包括:提供透明的衬底;
在该衬底上形成至少一个有源区;以及。
切割该衬底以形成具有有源区的至少一个发光二极管芯片,该有源区具有大于1.5比1且小于10比1的长宽比。”
2023年4月3日,聚某公司请求国家知识产权局宣告本专利权全部无效。主要理由包括:权利要求1-52不具备《中华人民共和国专利法》(2000年修正,以下简称专利法)第二十二条第三款规定的创造性。
聚某公司提交了证据1(对比文件1)...(本文书还有6779字未显示)